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PECVD詳解

來源:未知 點擊次數:118 發表時間:2015-06-27

 

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 等離子體增強化學氣相沉積法。

 

詳細信息:

PECVD:是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).

實驗機理:是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。

 

優點:

基本溫度低;沉積速率快;成膜質量好,針孔較少,不易龜裂。

 

缺點:

1.設備投資大、成本高,對氣體的純度要求高;

2.涂層過程中產生的劇烈噪音、強光輻射、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對人體有害;

3.對小孔孔徑內表面難以涂層等;
4.沉積之后產生的尾氣不易處理。

 

例子:在PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作為集成電路最后的鈍化保護層,提高集成電路的可靠性。

 

 

幾種PECVD裝置:

圖(a)是一種最簡單的電感耦合產生等離子體的PECVD裝置,可以在實驗室中使用。

圖(b)它是一種平行板結構裝置。襯底放在具有溫控裝置的下面平板上,壓強通常保持在133Pa左右,射頻電壓加在上下平行板之間,于是在上下平板間就會出現電容耦合式的氣體放電,并產生等離子體。

圖(c)是一種擴散爐內放置若干平行板、由電容式放電產生等離子體的PECVD裝置。它的設計主要為了配合工廠生產的需要,增加爐產量。

 


 


關鍵字:PECVD,詳解,PECVD,Plasma,Enhanced
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